MOSFET ДЛЯ ПОВЕРХНОСТНОГО МОНТАЖА

MOSFET - это аббревиатура от английского словосочетания Metal-Ox-ide-Semiconductor Field Effect Transistor (Металл-Оксидные Полупроводниковые Полевые Транзисторы).
Данный класс транзисторов отличается, прежде всего, минимальной мощностью управления при значительной выходной (сотни ватт). Также необходимо отметить чрезвычайно малые значения сопротивления в открытом состоянии (десятые доли ома при выходном токе в десятки ампер) а, следовательно, минимальную мощность, выделяющуюся на транзисторе в виде тепла.

Обозначается этот тип транзисторов следующим образом:


N-канальный

P-канальный
, где G - затвор
D - сток
S - исток
Также для сокращения числа внешних компонентов, в транзистор может быть встроен мощный высокочастотный демпферный диод.

К неоспоримым преимуществам MOSFET перед биполярными можно отнести также следующие пункты:
  • Минимальная мощность управления и большой коэффициент усиления по току, обеспечивает простоту схем управления (есть даже разновидность MOSFET управляемая логическими уровнями)
  • Большая скорость переключения (при этом минимальны задержки выключения, обеспечивается широкая область безопасной работы)
  • Возможность простого параллельного включения транзисторов для увеличения выходной мощности
  • Устойчивость транзисторов к большим импульсам напряжения (dv/dt)
Данные приборы находят широкое применение в устройствах управления мощной нагрузкой, импульсных источниках питания (здесь область их применения несколько ограничена максимальным напряжением сток-исток (до 1000 В), для более высоковольтных приложений используются IGBT транзисторы, информацию по ним Вы можете найти в подразделе ).

Основные параметры MOSFET-транзисторов:

Ucи.макс. - Максимальное напряжение сток-исток
Ic.макс. - Максимальный продолжительный ток стока при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С этот ток падает на ~ 30%, при работе в импульсном режиме - повышается в ~2-4 раза в зависимости от модели и длительности импульса
Pс.макс. - Максимальная рассеиваемая стоком мощность при температуре кристалла 25 °С, при повышении температуры до 100 °С значение мощности линейно падает в ~2...2,5 раза
Rсиотк. - Максимальное значение статического сопротивления сток-исток в открытом состоянии

Наименование Тип канала Uси макс., В Iс макс., А Pс макс., Вт Rсиотк., Ом
В корпусе SOT-223
IRFL014 N 60 2,7 2 0,2
IRFL014N N 55 1,9 2,1 0,16
IRFL024N N 55 2,8 2,1 0,075
IRFL110 N 100 1,5 2 0,54
IRFL210 N 200 0,96 2 1,5
IRFL4105 N 55 3,7 2,1 0,045
IRFL4310 N 100 1,6 2,1 0,2
IRFL9014 P 60 1,8 2 0,5
IRFL9110 P 100 1,1 2 1,2
SPN04N60C2 N 600 0,4 1,8 0,95
В корпусе D2PAK
IRF530NS N 100 14 75 0,16
IRF540NS N 100 33 130 0,052
IRF630NS N 200 9,3 82 0,3
IRF640NS N 200 18 125 0,15
IRF740S N 400 10 125 0,55
IRF840S N 500 8 125 0,85
IRFZ44NS N 55 49 110 0,022
IRF1310NS N 100 42 160 0,036
IRF1404S N 40 162 200 0,004
IRF3205S N 55 110 200 0,008
IRF3710S N 100 57 200 0,025
IRF4905S P 55 74 200 0,02
IRF5210S P 100 40 200 0,06
IRF5305S P 55 31 110 0,06
IRF9Z34NS P 55 19 68 0,1
MTD20N06HD N 60 20 40 0,045
В корпусе SO8
IRF7103 N+N 50 3 2 0,13
IRF7104 P+P 20 2,3 2 0,25
IRF7105 N+(P) 25 3,5(2,3) 2 0,109(0,25)
IRF7201 N 30 7 2,5 0,03
IRF7204 P 20 5,3 2,5 0,06
IRF7205 P 30 4,6 2,5 0,07
IRF7207 P 20 5,4 2,5 0,06
IRF7210 P 12 16 2,5 0,007
IRF7220 P 14 11 2,5 0,012
IRF7301 N+N 20 5,2 2 0,05
IRF7303 N+N 30 4,9 2 0,05
IRF7304 P+P 20 4,3 2 0,09
IRF7306 P+P 30 3,6 2 0,1
IRF7307 N+(P) 20 4,3(3,6) 1,4 0,05(0,09)
IRF7309 N+(P) 30 4,9(3,6) 2 0,05(0,1)
IRF7311 N+N 20 6,6 2 0,029
IRF7313 N+N 30 6,5 2 0,029
IRF7314 P+P 20 5,3 2 0,058
IRF7316 P+P 30 4,9 2 0,058
IRF7319 N+(P) 30 6,5(4,9) 2 0,029(0,058)
IRF7341 N+N 55 4,7 2 0,05
IRF7342 P+P 55 3,4 2 0,105
IRF7343 N+(P) 55 4,7(3,4) 2 0,05(0,105)
IRF7389 N+(P) 30 7,3(5,3) 2,5 0,029(0,058)
IRF7401 N 20 8,7 2,5 0,022
IRF7403 N 30 8,5 2,5 0,022
IRF7404 P 20 6,7 2,5 0,04
IRF7406 P 30 5,8 2,5 0,045
IRF7413 N 30 13 2,5 0,011
IRF7416 P 30 10 2,5 0,02
IRF7450 N 200 2,5 2,5 0,17
IRF7455 N 30 15 2,5 0,0075
IRF7468 N 40 9,4 2,5 0,0155
В корпусе TO-252AA
IRFR024N N 55 17 45 0,075
IRFR120N N 100 7,7 42 0,27
IRFR310 N 400 1,7 25 3,6
IRFR320 N 400 3,1 42 1,8
IRFR3303 N 30 33 57 0,031
IRFR3910 N 100 15 52 0,11
IRFR4105 N 55 27 68 0,045
IRFR420 N 500 2,4 42 3
IRFR5305 N 55 28 89 0,065
IRFR9010 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9024 P 60 8,8 42 0,88
IRFR9024N P 55 11 38 0,175
IRFR9110 P 100 3,1 25 1,2
IRFR9120N P 100 6,5 39 0,48
IRFR9220 P 200 3,6 42 1,5
IRFRC20 N 600 2 42 4,4


С управлением логическим уровнем

Наименование Тип канала Uси макс., В Iс макс., А Pс макс., Вт Rсиотк., Ом
В корпусе SOT-23
2N7002LT1 N 60 0,3 0,83 5
IRLML2803 N 30 1,2 0,54 0,25
IRLML5103 P 30 0,76 0,54 0,6
IRLML6302 P 20 0,78 0,54 0,6
BSS83 P 60 0,33 0,36 2
BSS84 P 50 0,13 0,36 8
BSS123 N 100 0,17 0,36 6
BSS131 N 240 0,1 0,36 16
BSS138 N 50 0,22 0,36 3,5
BSS139 N 250 0,04 0,36 <100
В корпусе SOT-223
IRLL014 N 55 2 2,1 0,14
IRLL024N N 55 3,1 2,1 0,065
IRLL110 N 100 1,5 2,1 0,54
IRLL2705 N 55 3,8 2,1 0,04
В корпусе D2PAK
IRL630S N 200 9 74 0,4
IRL640S N 200 17 125 0,18
IRL2505S N 55 104 200 0,008
В корпусе TO-252AA
IRLR024N N 55 17 38 0,65
IRLR110 N 100 4,3 25 0,54
IRLR120N N 100 11 39 0,125
IRLR2705 N 55 24 46 0,04
IRLR2905 N 55 42 110 0,027
IRLR3103 N 30 46 69 0,019
IRLR3410 N 100 17 79 0,105
IRLR3715 N 20 54 71 0,014
MTD20N06HDL N 60 20 40 0,045
  • Наименование
    К продаже
    Цена от
К продаже:
5 412 шт.
Цена от:
41,02
К продаже:
2 219 шт.
Цена от:
71,07
К продаже:
16 001 шт.
Цена от:
50,08
К продаже:
20 757 шт.
Цена от:
47,60
К продаже:
8 958 шт.
Цена от:
33,32
К продаже:
7 895 шт.
Цена от:
42,25
К продаже:
27 663 шт.
Цена от:
9,74
К продаже:
25 673 шт.
Цена от:
16,94
К продаже:
5 507 шт.
Цена от:
61,44
К продаже:
20 263 шт.
Цена от:
41,83
К продаже:
1 623 шт.
Цена от:
43,10
К продаже:
321 шт.
Цена от:
56,74
К продаже:
33 127 шт.
Цена от:
4,11
К продаже:
4 000 шт.
Цена от:
4,55
К продаже:
4 558 шт.
Цена от:
7,17
К продаже:
31 370 шт.
Цена от:
2,46
К продаже:
16 439 шт.
Цена от:
4,80
К продаже:
2 332 шт.
Цена от:
7,07
К продаже:
283 шт.
Цена от:
143,88
К продаже:
7 247 шт.
Цена от:
85,57
К продаже:
20 219 шт.
Цена от:
72,10
К продаже:
4 474 шт.
Цена от:
62,95
К продаже:
3 976 шт.
Цена от:
44,55
К продаже:
7 213 шт.
Цена от:
35,53
К продаже:
34 260 шт.
Цена от:
49,71
К продаже:
51 290 шт.
Цена от:
20,95
К продаже:
21 811 шт.
Цена от:
41,79
К продаже:
7 817 шт.
Цена от:
35,72
К продаже:
2 888 шт.
Цена от:
47,04
К продаже:
1 157 шт.
Цена от:
30,75
К продаже:
10 629 шт.
Цена от:
51,42
К продаже:
8 040 шт.
Цена от:
48,82
К продаже:
2 344 шт.
Цена от:
86,84
К продаже:
57 256 шт.
Цена от:
20,15
К продаже:
23 392 шт.
Цена от:
45,61
К продаже:
23 363 шт.
Цена от:
37,53
К продаже:
10 986 шт.
Цена от:
79,45
К продаже:
6 841 шт.
Цена от:
49,93
К продаже:
1 464 шт.
Цена от:
68,78
К продаже:
40 040 шт.
Цена от:
25,41
К продаже:
273 шт.
Цена от:
119,62
К продаже:
2 556 шт.
Цена от:
41,60
К продаже:
47 262 шт.
Цена от:
35,08
К продаже:
110 шт.
Цена от:
62,45
К продаже:
3 733 шт.
Цена от:
57,48
К продаже:
6 249 шт.
Цена от:
31,33
К продаже:
9 016 шт.
Цена от:
28,46
К продаже:
21 965 шт.
Цена от:
19,15
К продаже:
1 320 шт.
Цена от:
82,93
К продаже:
14 186 шт.
Цена от:
26,56
К продаже:
11 684 шт.
Цена от:
30,75
К продаже:
3 362 шт.
Цена от:
4,63
К продаже:
3 235 шт.
Цена от:
6,38
К продаже:
56 шт.
Цена от:
129,41
К продаже:
328 шт.
Цена от:
78,05
К продаже:
900 шт.
Цена от:
32,98
  • Производитель
    Корпус
    Описание
SOIC8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 5.2 А/-4.3 А, 2 Вт, 0.05 Ом/0.09 Ом
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 6.5 А/4.9 А, 2 Вт, 0.029 Ом/0.058 Ом
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт, 0.058 Ом
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 6.5 А, 2 Вт, 0.029 Ом
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В, 4 А/3 А, 1.4 Вт, 0.05 Ом/ 0.1 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 240В 0.1А 0.36Вт, 16 Ом
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 0.04А 0.36Вт, 100 Ом
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 9.3А 82Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 20 В, 5.2 А,2 Вт,0.05 Ом
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 110А 200Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.14Вт
TSSOP6
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А, 0.32Вт
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0.23А 0.36Вт
SOT-23
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 360мА, 1.14Вт
SOT-363
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.32 А
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,28A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 42A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 42А 170Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 38A
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 31А 110Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 17А 3.8Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 33А 3.8Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 18А 150Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 2.3 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 25 В, 2Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.3A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 4.6А 2.5Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 3.6 А
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.6 А
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 55 В, 4.7 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 55 В, 3.4 А, 2 Вт
SO-8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 55 В, 2W
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 8.7А 2.5Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 8.5А 2.5Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 6.7A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 5.8A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 13А 2.5Вт
SOIC8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 10А 2.5Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19А 68Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 19A
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 2.7А, 1.5Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 1.6А 2.1Вт
DPAK/TO-252AA
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 17А 38Вт
D2Pak (TO-263)
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 49А 94Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2А 2.1Вт
SOT-223
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 2.8А 2.1Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 320мА 0.31Вт
SOT-323
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 4.3 А, 2Вт
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 12В 16A
SO-8
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 5.4A